2019年7月23日
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）開發出1.6mm×1.6mm尺寸超小型MOSFET“RV4xxx系列”，該系列產品可確保部件安裝后的可靠性，且符合汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101，是確保車規級品質的高可靠性產品。另外，產品采用了ROHM獨有的封裝加工技術，非常有助于對品質要求高的高級駕駛輔助系統（ADAS）攝像頭模塊等汽車電子的小型化。
RV4xxx系列已于2019年5月份開始出售樣品，預計于2019年9月開始暫以月產10萬個規模投入量產。
近年來，ADAS不可或缺的車載攝像頭，受安裝空間的限制，對所配置部件的小型化要求越來越高。為滿足這些市場需求，在保持大電流的前提下，有望進一步實現小型化的底部電極封裝MOSFET備受矚目。
另一方面，對于汽車電子產品，為確?？煽啃?，會在產品安裝后進行外觀檢測*1)，但由于底部電極封裝在側面沒有充分形成穩定的焊接面，因此無法確保汽車電子需要的焊料高度，并且很難確認安裝后的焊接狀態，這是長期以來存在的課題。
ROHM一直致力于包括超小型MOSFET在內的行業領先產品的開發，并創造了傲人業績。此次，通過引入ROHM獨有工藝方法的 Wettable Flank成型技術*2)，底面電極封裝也能形成焊接面。作為業界首家※、保證封裝側面電極部分130μm的高度，因此可在產品安裝后的外觀檢測中可以充分確認焊接狀態。
未來，ROHM會充分運用Wettable Flank成型技術優勢，繼續開發小型封裝技術，并將技術優勢從MOSFET擴展到雙極晶體管和二極管產品，持續擴充追求小型高可靠性的產品陣容。
※截至2019年7月23日 ROHM調查數據
Wettable Flank成型技術是在封裝側面的引線框架部加入切割再進行電鍍的技術。但是，引線框架切割高度越高越容易產生毛刺。
為此，ROHM開發出獨有的工藝方法，在引線框架整個表面上設置了用來減少毛刺的阻擋層。這可以防止產品安裝時的傾斜和焊接不良，而且作為DFN1616封裝產品（1.6mm×1.6mm），業界首家保證封裝側面電極部分130μm的高度。
以往ADAS攝像頭模塊的反接保護電路主要采用肖特基勢壘二極管（SBD）。但是，隨著攝像頭的分辨率日益提高，在超大電流化方向發展的車載市場，由于小型底部電極MOSFET具有導通電阻低且可減少發熱量的特點，替換掉SBD已經是大勢所趨。
例如電流2.0A、功耗0.6W時，在車載市場被廣為使用的帶引腳封裝MOSFET，與SBD相比，可削減30%的安裝面積。而底部電極封裝的MOSFET，由于是底部電極，散熱性更好，不僅可實現小型化，還可實現大電流化。因此，與傳統的SBD相比，其安裝面積可削減78%，與普通的MOSFET相比，其安裝面積可削減68%。
| 產品名稱 | 極性 [ch] | 漏極 源極間 耐壓 VDSS[V] | 漏極 電流 ID[A] | 驅動電壓 [V] | 漏極 - 源極間導通電阻 | |||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RDS(on)[m?] @VGS=10V | RDS(on)[m?] @VGS=4.5V | RDS(on)[m?] @VGS=4.0V | RDS(on)[m?] @VGS=2.5V | RDS(on)[m?] @VGS=1.8V | RDS(on)[m?] @VGS=1.5V | |||||||||||
| Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | Typ. | Max. | |||||
 RV4E031RP HZG | P | 30 | 3.1 | 4.0 | 75 | 105 | 108 | 152 | 122 | 172 | ─ | ─ | ─ | ─ | ─ | ─ |
RV4C020ZP HZG | P | 20 | 2.0 | 2.5 | ─ | ─ | 180 | 260 | ─ | ─ | 240 | 340 | 320 | 450 | 400 | 560 |
*1) 外觀檢測
也稱自動光學檢查或AOI（Automated Optical Inspection）。例如，用攝像頭掃描電路板，以檢查部件缺陷和品質缺陷、焊接狀態等。
*2) Wettable Flank技術
在QFN和DFN等底部電極封裝的側面引線框架部加入切割再進行電鍍加工，在側面也形成電極的技術。
