2019年3月21日
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）面向車載充電器和DC/DC轉換器※1）又推出SiC MOSFET※3）“SCT3xxxxxHR系列”共10個機型，該系列產品支持汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101※2），而且產品陣容豐富，擁有13個機型。
ROHM于2010年在全球率先成功實現SiC MOSFET的量產，在SiC功率元器件領域，ROHM始終在推動領先的產品開發和量產體制構建。在需求不斷擴大的車載市場，ROHM也及時確立車載品質，并于2012年開始供應車載充電器用的SiC肖特基勢壘二極管（SBD）※4）、于2017年開始供應車載充電器和DC/DC轉換器用的SiC MOSFET。
此次新增加的10個機型是采用溝槽柵極結構※5）、并支持車載應用的SiC MOSFET，產品已于2018年12月開始以月產50萬個的規模開始量產。前期工序的生產基地為ROHM Apollo CO., LTD.（日本福岡），后期工序的生產基地為ROHM Integrated Systems (Thailand) Co., Ltd.（泰國）。
近年來，隨著環保意識的提高和燃油價格的飆升，電動汽車的市場需求不斷增長。而另一方面，雖然電動汽車（EV）日漸普及，然而續航距離短始終是亟需解決的課題之一。為了延長續航距離，所配置電池的容量呈日益增加趨勢，與此同時，還要求縮短充電時間。而要想實現這些目標，就需要更高輸出且更高效率的車載充電器（11kW、22kW等），采用SiC MOSFET的應用越來越多。另外，以歐洲為中心，所配置電池的電壓也呈日漸增高趨勢（800V），這就需要更高耐壓且更低損耗的功率元器件。
為了滿足這些市場需求，ROHM一直在加強滿足汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101的產品陣容，加上此次新增的產品，ROHM實施量產的SiC SBD和SiC MOSFET已達到34個機型，擁有傲人的業界領先陣容。在SiC MOSFET領域，擁有650V、1200V耐壓的產品陣容，可為客戶提供先進的解決方案。
自創立以來，ROHM一直秉承“品質第一”的企業宗旨，采用從開發到制造全部在集團內進行的“垂直統合型”體系，在所有的流程中嚴格貫徹高品質理念，并積極建立切實可靠的可追溯系統，優化供應鏈。針對SiC功率元器件產品，也建立了從晶圓到封裝在集團內部生產的一條龍生產體制，消除了生產過程中的瓶頸，實現高品質和高可靠性。
未來，ROHM將努力進一步提高品質，并繼續壯大元器件性能更高的產品陣容，為應用的小型化、低功耗化貢獻力量。
| 產品類型 (柵極結構) | 產品名 | VDS (V) | 導通電阻 (typ.)(mΩ) | ID (A) | PD (W) | 工作溫度范圍 (℃) | 封裝 | 支持標準 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 第3代 (溝槽柵極結構) |  SCT3017ALHR | 650 | 17 | 118 | 427 | -55～+175 | TO-247N | AEC-Q101 |
SCT3022ALHR | 22 | 93 | 339 | |||||
| SCT3030ALHR | 30 | 70 | 262 | |||||
SCT3060ALHR | 60 | 39 | 165 | |||||
SCT3080ALHR | 80 | 30 | 134 | |||||
SCT3120ALHR | 120 | 21 | 103 | |||||
SCT3022KLHR | 1200 | 22 | 95 | 427 | ||||
SCT3030KLHR | 30 | 72 | 339 | |||||
| SCT3040KLHR | 40 | 55 | 262 | |||||
SCT3080KLHR | 80 | 31 | 165 | |||||
SCT3105KLHR | 105 | 24 | 134 | |||||
SCT3160KLHR | 160 | 17 | 103 | |||||
| 第2代 (平面柵極結構) | SCT2080KEHR | 1200 | 80 | 40 | 262 |
*1)DC/DC轉換器
將直流電壓轉換為工作所需的電源電壓的轉換器。
*2)汽車電子產品可靠性標準AEC-Q101
AEC是Automotive Electronics Council的縮寫，是大型汽車制造商和美國大型電子元器件制造商聯手制定的汽車電子元器件的可靠性標準。Q101是專門針對分立半導體元器件（晶體管、二極管等）制定的標準。
*3)MOSFET（Metal－Oxide－Semiconductor Field Effect Transistor的簡稱)
金屬－氧化物－半導體場效應晶體管，是FET中最常用的結構，用作開關元件。
*4)肖特基勢壘二極管（Schottky Barrier Diode：SBD）
利用金屬與和半導體接觸形成肖特基結、從而獲得整流性（二極管特性）的二極管。沒有少數載流子存儲效應，具有優異的高速特性。
*5)溝槽柵極結構
溝槽（Trench）意為凹槽。是在芯片表面形成凹槽，并在其側壁形成MOSFET柵極的結構。不存在平面型MOSFET在結構上存在的JFET電阻，比平面結構更容易實現微細化，有望實現接近SiC材料原本性能的導通電阻。
